正常范围：一20℃～40℃。 扩展范围：由制造商与用户协商决定

正常范围：不超过1000m。 扩展范围：由制造商与用户协商决定

当应用于微气候环境时工程技术，采用表1中的一个等级

图4绕组有中间抽头的SIT符号

表1微气候环境的分类

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图5SIT共模电涌环境

图6有电屏蔽体的SIT共模电涌环境

差模电 差模电涌。在某些情况下 SIT带宽会过滤输出电涌的频谱而对差模电涌起抑制作用，但是SIT的作用很小。 信号SIT可能由于初级绕组电流过大导致磁芯饱和而截断次级电压。一些标准要求SIT具有初 级绕组额定电流参数，用于进行电源差模故障测试

特性是元器件可测量的参数，这些参数值用于元器件验证。特性的典型值、最大值、最小值或过 的组合由制造商规定

6.2输入绕组与输出绕组之间的电容

式验测量SIT内部绕组有效电容： 试验方法 图7给出了测量SIT内部绕组电容的试验电路。在图7中，只显示了SIT的容性分量。初级 绕组W，和次级绕组W。均短路。在两个短路绕组之间测量内部绕组电容

图7测量SIT内部绕组电容的试验电路

图8给出了测量有电屏蔽体的SIT内部绕组电容的试验电路。在图8中，只显示了SIT的容 性分量。初级绕组Wp和次级绕组Ws均短路。在两个短路绕组之间测量内部绕组电容。应 采用屏蔽测量方法测量内部绕组电容，以消除绕组到电屏蔽体的电容。使用三线方法（Hi， o，Guard)或六线方法（Hi，Lo，Guardfeed和Hi，Lo，Guardsense）进行屏蔽测量。图8中 更用了Blumlein三线变压器比例臂电桥 了测量中连接电缆的并联电容。

测量有电屏蔽体的SIT内部绕组电容的试验电

6.3绝缘电阻(IR)

本试验测量规定DC电压下的绝缘电阻： 试验方法 绝缘电阻测试仪应设置为规定的DC试验电压值，见6.3b）。应施加至少60S的试验电压后 再读取绝缘电阻值。图9给出了测量SIT绝缘电阻的试验电路。初级绕组Wp和次级绕组 Ws均短路。在两个短路绕组之间测量绝缘电阻

图9测量SIT绝缘电阻的试验电路

图1O给出了测量有电屏敏体的SIT绝缘电阻的试验电路。初级绕组Wp和次级绕组Ws均 短路。在两个短路绕组之间测量绝缘电阻。除非另有规定，应测量两次：一次用转换开关SW 巴电屏蔽体ES连接到初级绕组Wp后测量，另一次用转换开关SW把电屏蔽体ES连接到次 级绕组W后测量。

b）优选值 DC试验电压值优选500V，施加DC试验电压至少60s后读取电阻值。 ) 合格判据 在500VDC下测量的绝缘电阻值应大于或等于2MQ

b）优选值 DC试验电压值优选500V，施加DC试验电压至少60s后读取电阻值 合格判据 在500VDC下测量的绝缘电阻值应大于或等于2MQ

图10测量有电屏蔽体的SIT绝缘电阻的试验电路

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图12给出了发生器的开路输出电压和生成的次级绕组电压。调整发生器的脉冲电压幅值V 和持续时间使SIT磁芯饱和。若次级绕组脉冲电压被截断，则表明磁芯饱和，其持续时间ts 比发生器脉冲的持续时间短。为了测量精确，应调整发生器电压幅值，使磁芯饱和的时间ts 不小于10uS

图12发生器和SIT次级电压波形

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7.1额定冲击耐受电压

本试验用于验证由SIT制造商给出的元件类型规定的额定冲击耐受电压： a）试验方法 额定冲击耐受电压通常用1.2/50冲击电压来测试，参见附录A。由于这是测试元器件、装置 和设备端口的一种通用方法，因此本部分仅规定了绝缘冲击耐受测试。图13所示的试验电路 用于SIT绝缘的额定冲击耐受电压试验。1.2/50冲击发生器的冲击电压施加在绝缘隔离的 绕组W，和W。上，其电压波形用示波器O监测。初级绕组W，和次级绕组W。均短路。

图13SIT额定冲击耐受电压的试验电路

图14给出了有电屏蔽体的SIT的额定冲击耐受电压试验的试验电路。1.2/50冲击发生器的 冲击电压施加在绝缘隔离的绕组Wp和Ws上，其电压波形用示波器O监测。初级绕组Wp 和次级绕组Ws均短路。除非另有规定，应测量两次：一次用转换开关SW把电屏蔽体ES连 接到初级绕组Wp后测量，另一次用转换开关SW把电屏蔽体ES连接到次级绕组Ws后 测量，

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14有电屏蔽体的SIT额定冲击耐受电压的试

在测试绝缘之前，应确定一个试验合格/不合格的模型。首先将发生器G的电压按表2设置 为SIT额定冲击耐受电压对应的冲击耐受试验电压。记录发生器G的电压波形。由发生器 G的1.2/50开路电压波形创建一个模型包含将波形向上移动幅值的10%形成的上限和将波 形向下移动幅值的10%形成的下限（见图15）

图151.2/50开路波形创建的合格/不合格模型

图16所示为使用模型的一 个案例，在图中模型显示为阴影区域。为了通过绝缘试验，绝缘试 验期间的任何波形畸变不应在模型区域外[见图16a)]。任何绝缘击穿引起的畸变如锯齿状 波形[图16b)]和截断的波形[图16c)在模型区域外，均为试验不合格

a）合格，试验波形在1.2/5 开路电压波形创建的模型内

不合格，锯齿状试验波形 在模型区域外

不合格，截断的试验波形 在模型区域外

图16合格/不合格模型和试验波形

图16合格/不合格模型和试验波形

受试验电压施加到绝缘体上，同时在示波器O上记录冲击波形。检查记录的电压波形是否符 合图16a）。对于有电屏蔽体的SIT，见图14，将转换开关SW设置在两个不同位置上重复试 验，并且检查记录的电压波形是否符合图16a）。在冲击耐受试验后，按6.3测量绝缘电阻 注：可每极性各施加冲击耐受试验电压5次，各次间隔时间至少为1S，参见GB/T16935.1一2008的6.1.3.3.1

优远证 表2列出了SIT额定冲击耐受电压和相对应的冲击耐受试验电压的优选值。为确保额定冲 击耐受电压至少为其规定值，施加的冲击耐受试验电压应该高于该电压。根据 GB/T16935.1—2008和GB/Z16935.2—2013，表2中额定冲击耐受电压小于4kV时，冲击 耐受试验电压与额定冲击耐受电压之比为1.17，4kV及以上时为1.23。 本试验测量元器件按规定安装时的爬电距离、电气间隙和绝缘层的综合耐受能力。 c） 合格判据 试验过程中的波形应符合图16a)的要求，试验后绝缘电阻应符合6.3。

表2额定冲击耐受电压对应的冲击耐受试验电

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7.2信号SIT绕组额定直流电流

本试验验证SIT在额定直流电流下的绕组导体温升，不应超过元件类型的规定值。当安装在装置 和设备端口的SIT要求在交流电源差模故障条件下进行测试时，才需要额定直流电流： a）试验方法 本试验适用于铜导体SIT绕组，并假定SIT热阻恒定。图17给出了两个测量电路。图17a） 电路是测量试验前的绕组电阻和环境温度。图17b)电路是SIT达到热平衡后测量在额定直 流电流下的绕组电压和该点环境温度。 由于不能直接测量绕组温度，连续测量三次绕组电压，每次间隔5min，任意两次之间的变化 小于0.4%为热平衡。通常，天多数信号SIT在15min内达到热平衡。试验时，SIT应置于空 气不流通的环境中。 应记录按照图17a)试验电路预先测试的绕组电阻R，和环境温度TAI。在SIT绕组上施加额 定直流电流Ic，并且每间隔5min测量绕组电压， 当确定已达到热平衡，应记录在该时刻的绕组电压Vw和该点的环境温度TA2。 应做以下计算： 增加的电阻值.AR

增加的绕组温度，△T，对于铜导体使用温度系数0.00393：

测量绕组电阻的欧姆表； 设置绕组额定直流电流Iα的电流源： 测量绕组电压Vw的电压表：

试验后，应测量绝缘电阻（见6.3）。 优选值 SIT初级绕组直流电流额定值取决于SIT的尺寸、结构与ICT系统。由于这些参数存在较大 的差异，无法给出优选值列表。例如，通常以太网SIT在初级绕组额定直流电流1A内的温 升为40℃。SIT绕组额定直流电流可以用来预估在过流保护前绕组能承受的最大连续故障 电流（有效值）。 c 合格判据 在额定直流电流下计算出的绕组温升△Tc不应超过其规定值。本试验不应造成试品损坏 也不应导致绝缘电阻低于6.3的规定。

制造商应提供下列信息

环保标准产品参数表中应出现的应用信息 a）额定冲击耐受电压； b）信号特征。

直接标识在本体上，或持久地标贴在本体上的标志： a）制造商的名称或商标和型号； b）可追溯信息； c）微气候（如果适用）

直接标识在本体上，或持久地标贴在本体上的标志： a）制造商的名称或商标和型号； b）可追溯信息； c）微气候（如果适用）

表A.1所示的1.2/50开路电压冲击发生器可以在市场上购买到。一些发生器也输出规定的8 各电流，称为组合波发生器。通常，1.2/50一8/20组合波发生器的最大开路电压为6kV。 图A.1给出了3.1.18、3.1.19和3.1.20提及的时间参数和电压幅值

表A.1给出了详细的1.2/50波形

给排水施工组织设计 A.11.2/50时间参数和

表A.11.2/50冲击电压发生器参数

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