p() =[r(8)d,r()=dp/d

H atK(p)ap2 ,K(p)=c(α)/r() .· (5

K（β）一一一维热流Rth·Ct模型上空间参数的变化，即该一维模型的结构城市道路标准规范范本，被称为结构函数， 根据热阻热容模型及结构函数，对测试数据进行分析计算，即可获得LED模块热特性的积分结构 函数和微分结构函数曲线，参见附录A中的图A.1。 由于结构和材料的不同，器件的不同部分在积分结构函数曲线上的斜率会发生变化，在微分结构函 数则会以拐点等形式分割开来。越靠近纵轴代表实际散热路径上越接近模块结区：曲线上平坦的区域 代表模块内部热阻大、热容小的结构，陡的区域代表内部热阻小、热容大的结构；曲线末端，其值趋向 于一条垂直的渐近线，代表热流传导到了空气层中。依据微分结构函数曲线的不同拐点，结合LED模 参见附录A。

7.2不同界面相对热特性态测试

瞬态测试LED模块热特性需要测试实际的热功率及温度敏感系数，但是LED模块在使用过程 热功率或温度敏感系数有可能发生改变。采用不同界面相对热特性瞬态测试方法，将更加有利 出不同热特性的变化，具体数据处理见附录B。

则试报告 报告应包括下列内容： WWN a）测试人员； b）使用仪器； 样品名称、标识等信息 d) 测试环境（环境温度、基板温度、湿度等）； e） 测试方法； 测试条件（恒定小电流、恒定大电流等）； g 测试结果（电压电流曲线、快速冷却曲线、结构函数曲线及各组成部分热特性参数等）

附录A （资料性附录） 相关测试结果分析示例 可以对测得的快速冷却曲线，通过基于一维热流的热阻热容Rt·C模型及结构函数进行结果分 析和计算，得到积分结构函数和微分结构函数曲线，如图A.1所示，

可以对测得的快速冷却曲线，通过基于一维热流的热阻热容Rt·C模型及结构函数进行结果 I计算，得到积分结构函数和微分结构函数曲线.如图A.1所示，

图A.1LED模块热特性曲线

依据微分结构函数曲线的不同拐点，结合LED模块各层具体结构，就可以得到LED模块各层材料 热阻等相关热特性参数，如图A.2所示，具体如下： 芯片层的热阻为：1.0K/W； 粘结层的热阻为：3.6K/W； 支架的热阻为：0.6K/W； 导热硅脂一的热阻为：5.8K/W； 铝基板的热阻为：1.4K/W； 导热硅脂二的热阻为：2.0K/W 最可以获得该LED模块的总热阻为14.4K/W

依据微分结构函数曲线的不同拐点，结合LED模块各层具体结构，就可以得到LED模块各层材料 热阻等相关热特性参数，如图A.2所示，具体如下： 芯片层的热阻为：1.0K/W； 粘结层的热阻为：3.6K/W； 支架的热阻为：0.6K/W； 导热硅脂一的热阻为：5.8K/W； 铝基板的热阻为：1.4K/W； 导热硅脂二的热阻为：2.0K/W 最终可以获得该LED模块的总热阻为14.4K/W

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采用不同界面相对热特性瞬态测试方法，将更加有利于分辨出不同热特性的变化。根据公式（2 得到瞬态热阻Rh（t）的计算公式，见公式（B.1）：

n(t),并用对R（t)取微分，可以得到公式(B.2

度和电压近似为线性关系，公式（B.2)可以转换

b() = AV(z) kPdz

的影响，对公式（B.3)取对数并归一化，可以得到公式（B.4）： B(2) =ln[b()1 ...*. ( B.4)

B(2)=ln[6(2)

以中功率LED模块为例，利用相对热特性瞬态测试分析有无导热硅脂的情况。首先，接第6章对 其有不同接触界面的LED模块进行瞬态热特性测试。第一次测量时可以在冷板和待测模块之间不放 置任何热界面材料。第二次测量在界面处放置一层导热硅脂广播电视影视标准，如图B.1所示

图B.1有无导热硅脂的LED模块瞬态温度变化曲线

一般热瞬态测试采用降温过程，测得的温度敏感系数为负值，但是为了便于分析，在测瞬态温度曲 线时可以使用温度敏感系数的绝对值，那么瞬态温度曲线可以采用温升曲线，而不影响热阻结构函数的 计算。 对两次结果进行数据分析，获得微分结构函数曲线，如图B.2所示。热界面的不同使得两次测量得 到的温度变化曲线和微分结构函数曲线在某个时刻t。出现明显分离

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图B.3显示了有无导热硅脂的LED模块双界面相对瞬态热特性分析曲线。其中，双峰分别对应芯 十与铜柱之间的粘结层以及器件与铝基板之间的界面材料。可以看出有无导热硅脂的LED模块在相 对热特性曲线中的第二个峰的区域显示出明显的差异。 注：在选择双界面材料时农业标准，宜尽可能选择导热差异比较大的界面材料，以便更好地找到分离点，

图B.3有无导热硅脂的LED模块双界面相对瞬态热特性分析曲线

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