集成在包层及其支撑系统中的屏蔽结构，应满足DB34/T3574.2中对包层的设计要求； 集成在偏滤器及其支撑系统中的屏蔽结构，应满足DB34/T3574.3中对偏滤器的设计要 集成在管林及其支撑系统中的屏蔽结构，应满足DB34/T3574.4中对管林的设计要求。

5.3材料辐射效应限值

各内部部件、真空室本体、真空室窗口及其插件结构材料的辐照损伤要以损伤最大点的数值作为评 判依据。应控制各内部部件、真空室本体、真空室窗口及其插件所受的辐射损伤低于规定限值。限值由 选用的材料根据工况确定。

5.4.1内部部件的屏蔽设计应当充分考虑托卡马克聚变装置主机其他部件，结合真空室本体和真空室 之外的屏蔽体实现对（超导）磁体、冷屏等结构的辐射屏蔽，使其核载荷满足相应的设计要求。 5.4.2内部部件的屏蔽设计应当充分考虑托卡马克聚变装置主机厂房及其辅助机房的屏蔽要求。协同 主机及辅助厂房屏蔽设计以满足GB18871对辐射安全的要求。 5.4.3屏蔽设计应满足维护与遥操作的需求，

DB34/T 3574. 82019

6.1.1屏蔽设计使用的核数据应来自经评价核数据库。 6.1.2屏蔽设计中使用的计算程序要经确认和验证，证明程序的理论模型和计算方法是适当的 6.1.3屏蔽设计中使用的核数据库与计算机程序应是配套和自恰的，能达到设计精度的要求。 6.1.4应对主要设计参数的计算结果进行不确定性分析，

6. 2. 1初步设计

根据托卡马克装置的结构复杂性， 段可以进行托卡马克主机的初步屏蔽分析，给出内 部部件及主机各主要部件对聚变中子的屏蔽效果， 给出中子通量密度、光子通量密度、辐射材料损伤 停堆剂量率等典型核性能参数的径向分布

6. 2. 2详细设计

在详细设计阶段需要完善初步设计阶段遗留的问题，进行全部的屏蔽设计。其中，需要对以下结构 参数进行完整的评估与计算： 一聚变等离子体中子源定义： 一 一中子壁负载分布； 一高能（>0.1MeV）、低能中子通量密度分布，以及重要部件或部位的中子能谱； 各内部部件、真空室本体、真空室窗口及其插件等结构上的核响应量。这些核响应量应包括其 总核热、核热功率密度、辐射材料损伤情况； 各内部部件及其之间存在的缝隙、孔洞等穿透结构对屏蔽性能的影响； 真空室窗口及其插件结构上存在的迷道结构对屏蔽性能的影响； 剂量率分布和停堆剂量率分布。

发电机标准规范范本6.4事故工况下的屏蔽计算与评估

6.4.1应按照事故可能的进程分析放射性物质的迁移，评估其对维护和遥操作的影响。 6.4.2对涉氙系统的事故工况进行专门评估。 6.4.3屏蔽设计应考虑缓解事故工况下放射性物质的释放。