a 按照工艺文件核对待制备细间距微凸点的三维异构集成基板的规格、数量、批次号等内容； b) 检查待制备细间距微凸点的三维异构集成基板的外观和表面状态应当符合4.4.1中的要求； C) 确认工艺要求使用的光刻胶类型、显影液类型，确认剩余量满足工艺使用并在使用有效期内； d）检查确认掩模板质量状态满足4.4.2的要求。

a）对于待制备细间距微凸点的三维异构集成基板，表面涂胶采用旋转匀胶工艺进行； b）胶的厚度应大于待镀微凸点的总高度； c）旋转匀胶胶厚不均匀性：片内不均匀性和片间不均匀性优于±5%。

前烘工艺要求如下： a）根据使用的光刻胶选择合适的前烘温度和时间，曝光过程中光刻胶应与掩模板无粘连现象； b）采用热板进行前烘，厚紫外光刻胶的前烘温度范围为120℃～140℃，时间范围为3min～5min

a）根据所加工图形的精度要求选择相适应的接触式曝光模式。紫外曝光设备常用的四种曝光模式 及对应的极限分辨率为：接近模式，2μm～4μm；软接触模式，2μm；硬接触模式，1μm； 真空接触模式灌注桩标准规范范本，0.8μm； b） 光刻后图形的尺寸公差符合GB/T1800.2—2009中IT8级精度要求或符合产品设计文件要求： c）光刻后图形的对准精度符合GB/T1184—1996中10级精度要求或符合产品设计文件要求。

SJ 215532020

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UBM层腐蚀工艺要求如下： a）应优选UBM层/凸点材料腐蚀选择比大的腐蚀性溶液： b）UBM层腐蚀应控制侧向腐蚀量小于3μm； c）UBM层应完全腐蚀于净。

在10倍～45倍显微镜下观察，所制备的微凸点应表面光滑平整、均匀一致，不允许有漏镀、渗镀、 裂纹、毛刺、瘤疗等缺陷。

5.14.2微凸点精度

采用共聚焦显微镜测量电镀后微凸点的图形精度、直径及间距，微凸点的图形精度、直径及间距 满足产品设计文件要求。

5.14.3微凸点高度

微凸点高度检验要求如下： 采用共聚焦显微镜测量微凸点高度，微凸点高度应满足产品设计文件要求； 6） 采用X射线测厚仪，测量锡基钎料的高度，锡基钎料的高度应满足产品设计文件要求； 按照图2所示，采用X射线测厚仪测量9点锡基钎料的高度。锡基钎料的高度一致性百分比偏差 通过公式（1）计算得到，电镀后整个基板内部的锡基钎料高度一致性百分比偏差应符合产品 设计文件要求，若无设计要求时，应控制在10%以内： 微凸点的高度测量值减去锡基钎料的高度测量值即为铜柱高度，铜柱高度应满足产品设计文件 要求； e 按照图2所示，进行铜柱高度测量取样，铜柱高度一致性百分比偏差通过公式（1）计算得到， 电镀后整个基板内部的铜柱表面高度一致性百分比偏差应符合产品设计文件要求，若无产品设 计要求时，当铜柱高度范围为5μm～20μm时，高度一致性百分比偏差控制在15%以内；当铜 柱高度范围为20μm～35μm时，应控制在10%以内；当铜柱高度范围为35μm～50μm时，应 控制在7%以内，

对于待检产品、检验合格产品及检验不合格产品均需标识分离，对于检验出的不合格品应按要求处 理，防止不合格品的非预期使用，合格产品流转至下一工序。 每批产品的生产过程记录信息应填写应完整、准确、清楚，且生产过程记录信息需随该批产品一起 流转。

a）转运过程应避免振动和冲击，防止碰撞、擦伤。产品加工完后转交到下一工序过程中应保证产 品无损坏和污染； b） 基板转交到下一工序过程中应整齐地码放在专用片盒内。片盒内外表面应洁净、光滑，不能有 油污、灰尘、异物等污染，不应有对产品表面造成划伤的凸起和毛刺，且具有适中的强度能保 护产品并提供机械支撑。

加工好的产品应存放在洁净的片盒内医院建设标准，并储存在氮气柜中。 5.16注意事项 注意事项如下：

加工好的产品应存放在洁净的片盒内，并储存在氮气柜中。

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a) 根据曝光机光强强度及均匀性两周一次的检测结果，调整曝光时间参数； b) 将光刻胶从避光低温环境下取出后，在黄光室温下静置2h以上才能正常使用； C 光刻后的基板应尽快进行电镀，光刻与电镀之间的间隔时间不超过24h； d) 按工艺要求定期分析处理电镀溶液，保证电镀溶液各参数均在规定的工艺范围内。因故停用超 过一月的，在其恢复使用之前应进行分析调整和确认。

a) 根据曝光机光强强度及均匀性两周一次的检测结果，调整曝光时间参数： b) 将光刻胶从避光低温环境下取出后，在黄光室温下静置2h以上才能正常使用； C 光刻后的基板应尽快进行电镀，光刻与电镀之间的间隔时间不超过24h； d) 按工艺要求定期分析处理电镀溶液，保证电镀溶液各参数均在规定的工艺范围内。因故停用超 过一月的，在其恢复使用之前应进行分析调整和确认。

火力发电厂标准规范范本生产过程中应及时按工艺文件要求记录过程数据