DB65/T 3486-2013 太阳能级多晶硅块红外探伤检测方法.pdf

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  • DB65/T34862013

    试验样品表面干净、干燥、无异物。

    8.1温度:15℃~35℃,温度变化<1℃/h。 8.2湿度:<65%RH。 8.3洁净度:9级洁净室或以上。

    9.1将标准样品置于承载装置上,设备初始化。 9.2对标准样品进行测试,将测试结果与标准样品数值进行对比。 9.3调整红外光强度,使得测试图像与标准图像一致,偏差在5%以内。 9.4测试不同类型、规格的硅块时,应对相应的程序进行预设。 9.5保存所有校准数据及文件。

    10.1将待测硅块置于承载装置上。 10.2根据样品尺寸和类型,选取对应的校准文件和数据库文件。 10.3成像系统对硅块进行成像。 10.4图像处理系统分析、处理获取的硅块图像。 10.5计算机系统保存并输出测试结果。

    分别选取多晶硅块10个,将所选样品按照同一方向、同一顺序,由有经验的操作人员在实验至进行 三次重复测试,要求测试结果的GRR<10%。

    发电机标准规范范本,具有较好的准确性,可以达到测量系统要求的重复性与再现性。

    试验报告应包括下列内容: a)环境温度和湿度; b)硅块的类型和编号; c)测试设备的名称及型号: d)硅块测试方向:

    DB65/T34862013

    e) 测试硅块缺陷位置及尺寸; f) 硅块测试结果,包括硅块图像; g) 测试结果确认; h) 本标准编号; i) 测试地点和测试者; 测试日期。

    e) 测试硅块缺陷位置及尺寸; f) 硅块测试结果,包括硅块图像; g) 测试结果确认; h) 本标准编号; i) 测试地点和测试者; 测试日期。

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