将低温烧结陶瓷粉制成厚度精确而且致密的生瓷，在生瓷上 利用打孔、微孔注浆、印刷等工艺制出所需要的电路图形，并将多 个无源元件埋人多层陶瓷基板中，然后叠压在一起，可分别使用 银、铜、金等金属，在800℃～900℃下烧结，制成高密度电路互连 基板

2.0.2高温共烧陶瓷

将高温烧结陶瓷粉制成厚度精确而且致密的生瓷，在生瓷上 利用打孔、微孔注浆、印刷等工艺制出所需要的电路图形，然后叠 压在一起，可分别使用钨、钳等金属市政图纸、图集，在1500℃～1850℃下烧结 制成三维互连的高密度电路。

由生瓷浆料经流延后形成的带状的未烧结的复合柔性瓷料， 般以卷轴承载。

green sheet

green block

green brick

生瓷板被分切后获得的未烧结的电路单元

3.1.1总设计师应先制定设计大纲或设计指导书。

3.1.2共烧陶瓷混合电路基板厂总体设计的设计输入应包括下 列内容： 1厂址所在地的气象数据，特别是全年主导风向、最高洪水 立、飓风、雷暴日、沙尘暴等； 2广址所在地的地震基本烈度； 厂址所在地的动力供应来源； 4 厂址所在地的交通、通信、物流配套情况； 5 项目所在地的生产协作能力： 6 项目所在地对项目设计方案的审查，对初步设计审批的规 定； 7项目所在地对环保、消防、安全、节能和水源保护的地方性 法规等； 8厂房建设标准及项目建设投资控制要求； 9项自法人单位对工程设计的要求或期望。 3.1.3总体设计应组织各专业对各阶段的设计进行设计评审、设 计验证，并应保证设计输出符合设计大纲或设计指导书的要求，符 合项目法人单位对设计的期望。 3.1.4总体设计应审核各专业设计，并应符合国家环境保护、节 约能源和安全生产的要求。 3.1.5共烧陶瓷混合电路基板厂工程设计应根据生产工艺的特

3.1.4总体设计应审核各专业设计，并应符合国家环境

3.1.5共烧陶瓷混合电路基板厂

3.1.6总体设计应总控设计交付以后出现的各专业

总体设计应总控设计交付以后出现的各专业设计变更，审 设计变更的发放。 总设计师应负责设计总说明的编写，并应协调各专业设计

1.6总体设计应总控设计交付以后出现的各专业设计变更

查批准设计变更的发放。

3.1.7总设计师应负责设计总说明的编写，并应协调

广址选择与厂区总平面布局

3.2.5厂区总平面布局应综合多方面因素进行.并应符合

1人流、物流出人口布置应避免交义十扰； 厂区宜形成环形消防通道； 3 生产，房应位于厂区的下风向； 4 城市给水进口、电力及其他动力源接入应与动力站衔接便 捷； 5厂区排水出口应与城市排水管网在方向上、标高上顺畅、 合理； 6厂区标高应以城市最高洪水位、厂区周围道路和土方T程 量综合确定； 7厂区绿化应结合当地气候条件和环境进行设计； 8厂区应结合工厂发展情况预留发展用地

4.1.1 共烧陶瓷基板加T的基本工艺应包括LTCC基板加工 HTCC 基板加工。

配料→混料→流延→切片→打孔一→填孔一→印刷→叠片→层 压→热切→低温共烧一→熟切→激光调阻→测试。

配料→混料→流延→切片→打孔→填孔→印刷→叠片一→层 压→热切→高温共烧→熟切→镀涂→测试。

4.2.1配料工艺应通过使用电子天平等称量器具按照配方要求 称量出规定重量、比例明确的无机粉料和有机添加剂，为制备流延 浆料做准备。

4.2.2配料工艺应符合下列表

1无机粉料陶瓷粉、玻璃粉、微晶玻璃粉的分及含量应 明确，无机粉料应纯度高、性能稳定、颗粒匀称，粉料最佳粒度宜 为lμm～4μm，比表面积宜为5m/g～15m/g，颗粒形貌宜为球 形； 2黏结剂、塑化剂、分散剂和溶剂等有机材料的成分及含量 应明确，有机材料应纯度高、均质、无颗粒或累状物、无积物； 3应烘十无机粉料，井自然冷却至室温； 4应按照流延批量大小及生瓷带配方的材料成分要求称量 无机粉料；

5 应按流延批量及生瓷带配方比例称量粉料分散剂及其溶剂； 6 应按流延批量及生瓷带配方比例称量黏结剂、塑化剂。 4.2.3配料工艺间应配置排风设施，操作化学试剂时应戴手套和 口罩并打开排风。

2.4配料间可与混料间共用，但应与生瓷带流延间、共烧降 板加工间分隔开。

4.2.5未用的化学试剂应密封，并应存放在专用防爆储存柜 中。

4.2.5未用的化学试剂应密封，并应存放在专用防爆储存柜

混料工艺应通过分步球磨，将完成配料的各种成分充分混 应排去气泡，获得质地均匀、黏度合适的生瓷浆料。

.3.2混料工艺应符合下列规

1应将按批量配比的分散剂、溶剂及研磨介质装入球磨罐旋 镶，使固态分散剂完全溶解； 2应将已按批量配比的无机粉料加到已溶解好的分散剂中 旋镶，应严格控制陶瓷和玻璃粉料的杂质含量，以及球磨速度和球 磨时间，使陶瓷粉料与分散剂混合均匀，混料总量与球磨球或球磨 棒的质量比约为1：2； 3应将已按批量配比的黏结剂、塑化剂加到已分散好的无机 粉料旋辗，得到均匀混合的生瓷瓷浆； 4应将瓷浆在真空脱泡机中搅拌脱泡； 5应使用黏度计测量瓷浆样品的黏度达到规定要求。 4.3.3混料工艺间应配置排风设施，操作瓷浆时应戴合适的手套 和口罩并打开排风

4.3.6混料（配料）间必须采用防

4.4.1流延工艺应通过运行生瓷带流延机，使已球磨混料

气泡的瓷浆在刮刀刀口下平坦刮延在聚酯薄膜表面，经逐级干燥 后同步收卷，得到既定宽度和厚度的致密成卷生瓷带。

4. 4. 2生瓷带流延工艺应符合下列规定

1应在流延机上安装聚酯薄膜基带； 2应安装流延刮刀组件，并设定刀口在基带上方的高度（刮 刀间隙）； 3应设置流延.工艺参数：流延速度（传送带速度）、干燥腔温 度、抽排风量，并应通过调整刮力刀口与基带衬膜上表面间的缝隙 来控制生瓷带的厚度； 4应向流延机入口端的瓷浆槽内持续注入瓷浆； 5应启动流延，瓷浆在基带表面上形成湿膜生瓷带，并经流 延腔室逐步干燥，至出口端收带成卷； 6整批瓷浆流延完后，应关停流延机及排风，取下生瓷带卷 用塑料袋包封并收存。 4.4.3流延过程中应定期监测所流出生瓷带的厚度及表面质量 当设备状态无问题而生瓷带质量达不到要求时应及时调整流延工 t米

4.4.3流延过程中应定期监测所流出生瓷带的厚度及表面 当设备状态无问题而生瓷带质量达不到要求时应及时调整 艺参数，

4.4.4注浆时应盖好流延机米

4.5.1生瓷带切片工艺应通过运行生瓷切片机，将既定宽度的成

4.5.1生瓷带切片工艺应通过运行生瓷切片机，将既定宽度的成 卷生瓷带分切为规定长度且切口十净、整齐、陡直、无微裂纹的生 瓷片，

4.5.2生瓷带切片工艺应符合下列规定：

1应在切片机气胀轴上安装生瓷带卷，带卷头应通过切刀 并被真空吸附住：

2 应设定生瓷带的切片长度； 3 应在切片机上的规定位置放置接片托盘； 4 应设置切片工艺参数： 5 应正确调节生瓷带走向； 6 应运行切片机，自动完成上片、切片、吸片、下片过程： 7 每片生瓷片应做方向标记，随托盘成叠收理整齐。 .5.3 当采用有框工艺，应将切好的生瓷片用专用胶带粘接在专

用金属框上，生瓷片在金属框中应均匀分布。对加工同一 生瓷片奇数层与偶数层宜分别根据生瓷片标记方向，宜采 旋转90°的方式贴片。

6.1生瓷片打孔工艺应通过运行机械冲孔机或激光打孔戈 按照打孔数据文件的规定，在既定规格的生瓷片上打出数 量、形状、尺寸和位置均达到要求的通孔或窗口。

4.6.1生瓷片打孔工艺应通过运行机械冲孔机或激光打孔划切

4.6.2生瓷片打孔工艺应符合下列规定：

1机械打孔前应先安装冲针或冲模组件，并应设置好打孔所 对应冲针的种类和大小：激光打孔前应先检查激光器并进行预热； 2 应调入打孔数据文件； 3 应编制打孔程序，设置打孔工艺参数： 4 应在打孔机的载片台上放置好空白生瓷片，并进行定位： 应运行打孔程序，完成生瓷片的打孔，然后取下生瓷片，并 对打孔质量进行检验。 4.6.3空白生瓷片在进行打孔（划切）前，应根据需要对生瓷片进 行预处理。 4.6.4机械冲孔应有不低手规定压力的压缩空气，激光打孔应有

4.6.6对于无框工艺相邻层生瓷

生瓷片的所有互连通孔用导体浆料充填饱满

4.7.2生瓷片填孔工艺应符合下列规定：

1应安装填孔模板或网印填孔时的刮板头； 2应根据不同黏度，不同类型通孔浆料设置填孔工艺参数， 包括挤压填孔的压力、时间，或印刷填孔的刮板压力、刮印速度、刮 印行程； 3填孔浆料应充分搅拌均匀，并静置脱泡，必要时添加少量 溶剂调整浆料黏度； 4应在填孔模板上施加填孔浆料，可选择银浆料、金浆料或 合金浆料； 5应在具有多孔真空吸附作用的填孔台面上对准放置已打 好孔的合格生瓷片，填孔应采用上压下吸的方式； 6挤压填孔时，生瓷片应放置于填孔膜的上方，通过定位销 将生瓷片上的孔洞和掩膜上的孔洞对准，依靠压力将掩膜下方的 浆料挤压到生瓷片的孔洞中； 7印刷填孔时，生瓷片应放置于具有多孔吸附作用的平台 上，通过负压抽吸固定生瓷片，将丝网板置于生瓷片上方，将填孔 浆料置于丝网板上方，刮板施加设定压力使浆料透过丝网板填充 到孔洞中，填孔压力应一致，速度均匀； 8填孔时生瓷片未与填孔膜或网版接触的一面应垫上干净 平整的白纸或其他纤维纸； 9对填孔质量进行检验，当填孔透光或缺料未填满时应进行 补填料； 10应回收剩余导体浆料，卸下填孔模板或网印填孔时的刮 板头，并清洗干净。

7.3已完成填孔的生瓷片，应烘干通扎中的浆料，烘于操 优选在氧气成其他炼性气体保护下进行当州王三通奖

4.7.3已完成填孔的生瓷片，应烘干通孔中的浆料，烘于操作可 以优选在氮气或其他惰性气体保护下进行，当烘干后通孔浆料仍 凸起过多或不匀时，应进行整平。

4.8.1印刷工艺应通过运行丝网印刷机，用浆料在已填好孔的生 瓷片的表面印上一层规定的图形或在已完成共烧的多层陶瓷基板 表面印上厚膜电阻或其他导体、介质材料

8.2丝网印刷工艺应符合下

1应按照功能膜层的图形精度和厚度要求选择适当的网版， 对微带线、带状线、小尺寸电阻等精度要求高的图形应选择精度高 的网版，对普通信号线、大尺寸电阻、焊盘、接地层、电源层等图形 应选择普通精度的网版。 2应在印刷机上安装合适硬度的刮板头。 3应设置印刷T艺参数：刮板压力、往返行程、印刷速度、脱 网高度。 4应充分搅拌均匀印刷浆料，并应静置脱泡，必要时可添加 少量溶剂调整浆料黏度，印刷所使用的导体浆料应符合下列规定： 1）浆料应具有保证浆料顺利通过丝网印版的流动性； 2）浆料应具有不与生瓷材料发生化学物理反应的化学 性，还应具有挥发性； 3）浆料可浸润在生瓷片表面。 5应在网版上施加浆料，在印刷台面上放置待印刷的生瓷片 或已共烧的基板，真空吸附定位、对准，开始试印，并应根据试印结 果调整印刷参数。 6完成整批生瓷片或基板的印刷后，应取下生瓷片或基板： 对印刷图形进行检验，发现缺陷应进行修补或重新印刷。 7应回收剩余浆料，卸下刮板头和网版并清洗干净。 4.8.3使用烘箱或网带炉烘印刷后的生瓷片或基板，烘干操作

气或其他情性气体保护下进行

4.9.1叠片工艺应通过在叠片台上手工操作或运行叠片机

4..1管片艺应通过任置

1应在叠片台上的四角安装好定位销钉； 2有聚酯衬膜的生瓷片应揭除聚酯衬膜，然后将生瓷片四角 定位孔与叠片台上定位销钉对应套准： 3应在生瓷片边界进行点焊预压； 4应依次将每层生瓷片揭膜、套准、层叠、点焊，真至最后一 层生瓷片叠好；

4.9.3采用自动叠片机的叠片.工艺应符合下列规定

1应检查生瓷片填孔、网印质量，对位孔应完好，孔内应无障 碍物，透光孔应无遮挡，所有定位孔和透光孔应位置一致，发现对 位标记偏差严重时应当作不合格品剔除； 2应调整叠片机定位基准，编制叠片程序，设置叠片层数、次 序、周期、压力、对准精度，可采用图形图像对位和真空吸附的方法 对生瓷片进行定位；必要时还应调整烙铁温度； 3叠片机运行中应自动完成一个完整生瓷坏的依序叠片； 4生瓷片在传送带移动过程中不应发生移动错位； 5对有框工艺.生瓷片去框后应尽快叠片。 4.9.4叠好片的每一生瓷坏应先平稳放置在平整、光滑的不锈钢 标吉越一

.1层压1艺应通过运行等静压机，在高压、加温水介质中 好片并已真空密封的生瓷坏压制为无空隙的密实生瓷板

1可使用合适的弹性体对生瓷片上的腔、槽结构进行局部填 充或整体保护； 2生瓷坏应放置于层压背板上，宜用光滑结实塑料袋将其 起真空密封； 3应设定合适的层压程序以及工艺参数：层压的步数、水温 层压压力、预热时间、加压时间； 4层压前压力介质应充分预热并达到预定的温度； 5层压过程中应按设定程序对生瓷坏加载压力并保压，保压 后应缓慢降低施载压力至层压结束

4.11.1生瓷块热切工艺应通过运行生瓷热切机，将层片

生瓷块热切工艺应通过运行生瓷热切机，将层压后的生 切为尺寸及切口质量达到要求的单元生瓷块

4.11.2热切工艺应符合下列规定

1应在热切机力架上安装合适规格的力片，方片应紧紧贴装 在刀架面上，力口应成直线力面应垂直向下，校准刀口与台面平行； 2应设置热切1.艺参数：切割深度、切割速度、切力温度、工 作台温度、每一方向切割刀数，编制热切程序； 3应使用真空吸附定位放置到载片台面上的待切生瓷板； 4应调整载片台，运行生切程序，完成每一方向的切割对准； 5台面和专用刀片应加热至规定温度； 6将生瓷板分切为单元生瓷块后，应取下切好的生瓷块和废 弃边角料。

4.12.2共烧分为低温共烧和高温共烧，低温共烧宜在最高温度 为850℃~900℃空气环境中进行，高温共烧宜在1500℃~1850℃ 的氢或氮氢混合气氛中进行

4.12.2共烧分为低温共烧和高温共烧，低温共烧宜在最高温度

4.12.3使用箱式烧结炉共烧工艺应符合下列

1应接通压缩空气、氢气、氮气，排胶和烧结所用的压缩空气 应干净干燥，对低温共烧陶瓷，应在空气气氛下排胶和烧结：对氧 化铝高温共烧陶瓷，应在湿氢气氛下排胶和烧结：对氮化铝高温共 烧陶瓷，应在氮气中排胶，在干燥的氮气和氢气气氛下烧结： 2应将生瓷块放置在承烧板上，中间应用垫块隔开： 3应将承烧板放入烧结炉炉膛中的恒温区内，并应将测温热 电偶放置到合适位置： 4应编制烧结程序，设置烧结温度曲线、烧结气氛及其流量； 5应运行烧结程序，进行生瓷的排胶和共烧，可根据基板厚 薄、尺寸大小调整排胶升温速率和烧结升温速率，厚基板和大基板 可适当降低升温速率，不可排胶过量：烧结过程应在烧结温度保持 一定时间，炉膛内应具有温度均匀性，恒温区温差不应超过5℃， 必要时可加大进气量； 6LTCC烧结炉温度低于200℃时可打开炉腔进行空冷； 7HTCC烧结炉温度低于300℃时应先通氮气置换炉膛内 的氢气，烧结炉内温度低于200℃时可打开炉腔进行空冷

4.12.4使用连续式烧结炉共烧工艺应符合下列规定：

1应监测烧结炉传送速度、气体流量、各温区的温度是否符 合烧结工艺要求； 2 应将产品按照工艺要求放在承烧板上，中间应用垫块隔开； 3应将承烧板放置在推板或传送带上自动进人烧结炉中，并 应经过不同温区完成排胶、烧结过程自动出炉： 4可重复放置和取出产品，连续生产。 承必报而声平救生资块不应悉新战结

4.12.5承烧板表面应平整，生瓷块不应叠放

4.13.1熟切（陶瓷划切）工艺应通过运行砂轮划片机或激光划片 机，将已烧结的熟瓷块（陶瓷基板）分切为尺寸及切口质量达到要 求的单元陶瓷基板。砂轮划片机应划切直线，激光划片机可划切 任意路径。

4.13.2砂轮熟切工艺应符合下列规定：

1应在划片机刀架上安装规格合适的砂轮片并锁定； 2可通过胶膜或石蜡将陶瓷基板固定在载片台上真空吸附， 应确保基板切割过程不移动和掉落； 3应设置划切工艺参数：砂轮转速、进刀深度、每一方向划切 刀数、走刀速度、走刀行程；应定好切割基点，并应按基板大小和形 状编制熟切程序； 4应调整去离子水的流量和压力，确保冷却水对准刀片和切 割接触部位； 5应调整载片台完成每一方向的划切对准，宜在基板拐角或 基板之外选择熟切起始点，不宜选在基板直边上；划切时不应损伤 切割周边的金属导带、键合点和焊接区； 6熟切完成后应摘下单元陶瓷基板并对基板表面和边缘进 行刮平处理，并应洗净、晾干，废弃边角料。

13.3激光熟切工艺应符合下列规定：

1共烧陶瓷基板可通过工装夹具固定在工作台上，应保证基 板平面高度一致； 2 应根据基板外形及工艺要求编制切割路径； 3应设置激光参数、划切速度、划线遍数、冷却气体及气压大小 4划切前应调整工作台，完成划线标记寻找及对准； 5划切后应对切口熔渣进行必要的处理

激光调阻工艺应通过运行激光调阻机，米用脉冲激光器

产生的激光束使厚膜电阻膜层局部烧熔，通过改变电阻膜层 寸面使阻值上升达到规定的阻值，

4.14.2激光调阻工艺应符合下列规定： 1宜采用机械固定配合真空吸附的方式固定待测基板； 2宜选用内阻较小的电阻卡盘做测试探针，当基板上电阻较 多、电阻尺寸较小时，可分成两个甚至更多卡盘进行分步调阻； 3应确定基片厚度、设置激光调阻工艺参数，编制调阻程序 应试调合格后再进行批量调阻；调阻时应随时跟踪所调电阻的阻 值精度，当发现电阻精度有变化时，应及时分析原因并调整目标设 定值； 4无特殊要求时应优先便用“1”形切口，对电阻器有高精 度、低热噪声要求时，宜使用扫描切割；除交指型调阻外，宜少用 “一”形切口；使用特殊切割方式切割的切口，应检查切割的长度和 切割后电路剩下的有效宽度是否合格； 5切口宽度不宜超过电阻器原宽度的一半，切口内应无电阻 残留物；切口深度应以切割部位电阻膜层熔烧十净直不损伤共烧 陶瓷基板内层布线及可靠性为准； 6应对首件品进行测试检查，所调阻值精度有异常时应及时 查找原因，待阻值精度稳定后再继续批量调阻； 7测试小阻值电阻时方用表应校零，并应校准表笔的接触电 阻值；测试高阻时，应避免环境湿度和外界的干扰引起测试误差； 8调阻过程中当需观察激光工作状态时，应佩戴专用护目镜 4.14.3激光调阻操作应在氮气或其他情性气体保护环境下进 行。

4.14.2激光调阻工艺应符合下列规定

4.15.1镀涂工艺应通过镀涂设备，在多层共烧陶瓷基板金属化

·1镀涂工艺应通过镀涂设备，在多层共烧陶瓷基板金属1 进行镀镍、镀金处理，提高表面金属化的可焊性、可键合性、而 性及导电性，

4.15.2镀涂工艺应符合下列规定：

1应按照一定的配比，配置碱性去油剂、酸性去油剂、氨水、 化学镀触发液、活化液、镀镍溶液和镀金溶液； 2应将基板固定在镀涂夹具上； 3应使用碱性或酸性去油剂，或使用氨水清洗基板，去除表 面沾污，并应用纯水冲洗干净； 4应通过活化处理以去除金属化表面的氧化层，之后应用去 离子水冲洗； 5化学镀工艺时，应对基板进行触发处理； 6电镀镍或电镀金工艺时，应设定电镀镍溶液或电镀金溶液 温度、电流密度、镀覆时间进行，之后用纯水冲洗； 7化学镀镍或化学镀金工艺时，应设定化学镀镍溶液或化学 镀金溶液温度、镀覆时间进行，之后用纯水冲洗； 8应将镀涂后的基板退火

4.16.1飞针测试工艺应通过运行飞针测试仪，对共烧陶瓷基板 进行直流通断测试，判断电路网络互连关系是否符合设计要求。

1应确定转化生成的网络（节点）等测试文件满足设备工作 要求，且逻辑关系与设计文件相符； 2装夹过程应避免基片损伤，且探针压力应调整合适，避免 损伤测试点膜层； 3测试项目应完备、开路、通路、电阻判定阈值应设置合理， 避免误判； 4应对未通过项目进行人工判定，避免因位置误差导致误判； 5设备应定期校准，以保证定位、压力及电学测试精度； 6设备运行期间，不应打开保护门。

5.1.1共烧陶瓷混合电路基板生产线的加工设备与检测仪器，应 根据生产线的组线方式、加工产品、生产规模、生产效率、运行管理 与成本控制目标、节能环保要求等因素合理配置。

1应按照产品的结构形式、工艺途径、所用材料、加工流程确 定所需工艺设备的种类： 2应按照生产线的产能需求和工序平衡原则，明确各工艺设 备的单台加工速度以及设备数量； 3应按照最终产品的加工精度要求，明确各工艺设备的关键 技术指标； 4研制与小批量生产加工、依靠操作人员技能水平保障加工 质量时，可选用性能价格比高、投资较少的手动型共烧陶瓷设备； 5批量生产时，应选用具有图形自动识别、产品数据文件接 收、编程控制、学后认知等能力的自动化设备，并应配备与之兼容 串线的工装夹具，使生产线实现自动化或半自动化运行。

5.2.1配料工艺应配备振动筛分机、电子秤或天平、烘箱、防爆储 存柜、粒度测试仪等设备、仪器，以及球磨罐、磨口瓶、聚四氟乙烯 朔料桶等容器

1振动筛分机应能设置振动筛的振动速度和幅度，并应配 艮尺寸不同的系列振动筛，同一振动筛中网眼尺寸的精度允

偏差为士10%； 2电子秤或天平应配置合适的载物台、称量系统和显示系 统，并应保证所需的量程和精度： 3烘箱应能设置温度和时间，温度范围宜为50℃～200℃ 时间范围宜为1h~24h； 4粒度测试仪应配备合适的光源、检测腔和清洗系统，通过 对乳状物的检测可得到粒径中径大小，分布范围等参数； 5防爆储存柜应为全金属封闭结构，应具有防爆、避光、阻燃 能力。

5.3.1混料工艺应配备球磨机、真空脱泡机和黏度计，可与配料 工艺共用防爆储存柜。

1球磨机应具有稳固的结构和强度，应能设置旋镶球磨的转 速和时间，应配备适量容积的球磨罐及合适尺寸的研磨介质； 2球磨罐的内衬材料应具有抗溶剂腐蚀性、耐磨性和密闭性 所用材料可为聚乙烯、聚四氟乙烯、聚氨酯、氧化铝陶瓷、玛瑙等： 3研磨介质的形状宜为圆球体、圆柱体等，应由高含量氧化 铝、玛瑙、氧化等高硬度陶瓷材料制成，研磨时宜选择不同大小 不同形状的研磨介质混合； 4真空脱泡机应具有在抽取真空的同时匀速搅拌瓷浆的功 能，应能设置机腔的真空度和搅拌架的转速，并宜配置冒泡观察窗 口； 5黏度计可包括搅拌器（转轴）、力矩测试仪、电动马达、浆料 杯等，应能设置转速并自动显示黏度值

流延工艺应配备生带流延机、瓷浆过滤与供给系统。

流延工艺应配备生带流延机、瓷浆过滤与供给系统。

1流延机应包括传送带（载片带）、流延头、干燥腔、收片单元 以及精密控制与数据收集系统，主要技术指标应包括流延宽度、流 延厚度、传送带速度、十燥腔温度、抽排风量； 2传送带宜为聚酯薄膜带，也可为纸张或不锈钢带，应保持 恒定的张力而无褶皱，并应以平稳的速度在干燥腔内的平整流延 台面上直线运行： 3流延头（刮刀组件）应包括刮刀和瓷浆槽，刮刀应可调节刀 口的高度并保持稳定，流延过程中瓷浆槽内瓷浆液面高度宜维持 不变； 4十燥腔可通过流延台面下的底床加热器和从流延出口往 流延入口逆向流动的热空气来干燥传送带表面上的湿膜生瓷带。 下燥腔应有多个温区且温区温度从流延入口到流延出口应呈递升 状态； 5收片单元可通过出口端收带轴的旋转收取生瓷带； 6精密控制与数据收集系统应通过计算机、软件、传感器、执 行机构等的协同工作，并应完成对生带流延机工作状态的实时控 制与流延数据的有效收集； 7瓷浆过滤与供给系统应利用一级或多级滤网清除瓷浆中 的瓷粉团聚物、未溶黏结剂、球磨罐衬里和研磨介质的碎屑等杂 质，并应将滤清后的瓷浆稳定、连续地供送到流延头的瓷浆槽内； 8当瓷浆中含有可燃溶剂时，流延机应配置溶剂浓度國值传 感器且与控制系统联锁，超过高限时应立即自动停止注浆流延并 加大排风量。

5. 5. 1 切片工艺可选用自动切片机或半自动切片机。 5.5.2 切片工艺设备应符合下列规定：

切片时应配备真空吸附平台；

2自动和半自动切片机主要技术指标应包括最大料宽、切片 步距、切片尺寸精度、切片速度； 3自动切片机应配置自动上料及收集生瓷片的装置，生瓷卷 轴可展升于洁净的不锈钢工作台面之上，上料可由吸盘和气缸器 件控制，下料可采用吸盘和伺服马达控制；切片刀具应采用耐磨材 料并能根据要求调整上下刀距； 4半自动切片机可人工上料或人工收集切割后的生瓷片，切 刀装置应与自动切片机相同

5. 6 打孔工艺设备

5.6.1打孔工艺设备可选用机械冲孔机或激光打孔机，机械冲孔 设备应主要包括操作显示模块、电源模块、工作台、机械打孔单元 和废料回收单元，激光打孔设备应主要包括操作显示模块、电源模 块、工作台、激光发射模块和冷却模块

5.6.2打孔工艺设备应符合下列规定：

1打孔工艺设备应配置打孔数据导入导出和处理系统，并应 具有数据编辑功能； 2机械冲孔机主要技术指标应包括冲孔最大面积、冲扎位置 请度、最大加工厚度、冲孔直径、冲孔速度、二次加工精度、断针报 警功能； 3激光打孔机主要技术指标应包括激光功率、激光波长、光 斑直径、脉冲频率与宽度、最大加工厚度、（振镜）扫描幅度和工作 台行程、定位精度、重复精度、运行速度、最小步距、二次加工精度； 4打孔机工作台应将生瓷片固定，并应保证生瓷片移动过程 中的位置精度； 5机械冲孔的冲孔单元应根据设计文件中不同尺寸的孔径 配置冲头组合，冲头宜更换容易；冲孔单元应配备与之匹配的校准 工具； 6机械冲孔机宜同时配置圆形、方形冲孔单元

7激光打孔的激光发射模块应配备调焦系统，可根据需要调 整激光束宽度； 8打孔机宜配备自动上下料机构、残留碎屑收集系统、减振 及噪声消除系统； 9机械冲孔机应配备安全防护门。 5.6.3激光打孔机工作时应关闭防止激光散射或辐射的安全门、 罩。

5.7.1填孔工艺可分为挤压填孔和印刷填孔，挤压填孔设备应包 括微孔填充机和十燥炉；印刷填孔设备应包括丝网印刷机和干燥 炉，丝网印刷机应主要包括操作显示模块、电源模块、工作台、光学 对位模块、丝网网版和印刷模块

5.7.2填孔工艺设备应符合下列规定：

1微扎填充机应适用于将导电浆料通过模板挤下填充到生 瓷片的对应通孔中，其主要技术指标应包括填充区域大小、填充压 力、填充时间、最小填孔直径、最大填孔厚度、工作周期； 2填孔设备工作台应平整洁净，并应具有固定生瓷片的台面 吸附功能； 3填孔设备光学对位系统应有保证填孔的准确性精度； 4丝网印刷机的丝网宜采用200目以上的不锈钢丝网或高 开孔率尼龙丝网·应根据工艺需要设置网版孔径与生瓷孔径的比 例关系，丝网厚度宜为网丝直径的1.5倍～1.8倍；也可采用不锈 钢钢片漏版； 5刮刀运行速率应保持稳定，刮刀角度应符合保证浆料填满 通孔的填孔要求。

配备印刷网板制作设备装饰标准规范范本，包括绷网机、曝光机、显影机等。

5.8.2印刷工艺设备应符合下列

1丝网印刷机应通过丝网将电子浆料按网版图形印刷在生 瓷片或基板表面，主要技术指标应包括印刷面积、刮板压力、印刷 速度、对位精度； 2丝网印刷机应具备真空吸附、自动图形识别及对位、网距 玉力、速度、印刷模式编程功能： 3刮刀角度应符合导体印刷要求。

5.9.1自动叠片工艺可选用叠片机，应主要包括操作显

1叠片机应适用于按序将已填孔、丝网印刷的生瓷片对准 叠合成待压烧的多层生瓷坏电力弱电图纸、图集，主要技术指标应包括叠片尺寸、叠片 层数、叠片精度、生瓷片最小厚度、叠片温度、叠片压力、工作周期： 2影像对位系统精度应保证对位的准确性； 3叠片机工作台可采用点胶、点焊或热压等方式预固定生瓷 片，厂作台移动过程中相邻生瓷片无错位移动；点焊模块点焊温度 应使生瓷片能够轻度粘接； 4叠片机应具备生瓷片翻转、自动（半自动）脱膜功能，剥膜 模块应可调节位置与力矩大小： 5自动叠片机应配备安全防护门。

5.10.1层压工艺可选用真空密封设备和等静压机。真空密封设 备可将叠片后的生瓷坏体进行真空封装，应主要包括真空泵和封 口模块；等静压机设备可将真空封装的生瓷坏体压实，应主要包括 主机系统、加热系统、高压容器、框架结构和液压系统。

1真空密封设备应将生瓷坏体密封至密封袋中，主要技术指 标应包括最大密封尺寸、真空精度、真空泵工作速率； 2等静压机应适用于将疏松生瓷坏压实成无空隙的生瓷板， 主要技术指标应包括最大层压尺寸、最高水温、最大水压、温度精 度、压力精度、升温速度、压力缸容积； 3等静压机最高水温不应低于85℃，水可根据需要加热并 保温； 4等静压机施加压力时应保证其气密性及压力精度，压力施 加可根据不同生瓷材料进行调节，最高压力不应小于34.5MPa； 5等静压机温度、压力、时间可编程，加压段数不应少于3 段。